#: locale=zh ## 介面 ### 圖片 Image_00008DC8_1DB1_9575_41BB_C462BF732F22.url = skin/Image_00008DC8_1DB1_9575_41BB_C462BF732F22_zh.png Image_0003CC87_1DB1_FBFB_41A1_D561A0D3340D.url = skin/Image_0003CC87_1DB1_FBFB_41A1_D561A0D3340D_zh.png Image_00054B97_1DB1_FD1B_419F_878E17EB6E22.url = skin/Image_00054B97_1DB1_FD1B_419F_878E17EB6E22_zh.png Image_0006734E_1DB1_ED0D_417C_4F456FEA70A6.url = skin/Image_0006734E_1DB1_ED0D_417C_4F456FEA70A6_zh.png Image_0008AD78_1DB1_F515_41AA_1DC68B87A730.url = skin/Image_0008AD78_1DB1_F515_41AA_1DC68B87A730_zh.png Image_00105F77_1DB1_F51B_419C_9E8749752C22.url = skin/Image_00105F77_1DB1_F51B_419C_9E8749752C22_zh.png Image_00159E72_1DB1_F715_4196_9C790CE74D52.url = skin/Image_00159E72_1DB1_F715_4196_9C790CE74D52_zh.png Image_001CF172_1DB1_ED15_41B3_4B5B22133559.url = skin/Image_001CF172_1DB1_ED15_41B3_4B5B22133559_zh.png Image_001D806B_1DB1_EB0B_41B1_E5FA40ED1448.url = skin/Image_001D806B_1DB1_EB0B_41B1_E5FA40ED1448_zh.png 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skin/Image_EBBE316B_08B6_C25A_41BC_EF27FE5C70F0_zh.png Image_FC564018_0849_41C6_417C_7FC82AA9874A.url = skin/Image_FC564018_0849_41C6_417C_7FC82AA9874A_zh.png ### 多行文字 HTMLText_DB408CF9_084B_4246_41B4_6A7192716130.html =
8吋前段多晶矽與介電層蝕刻機FEOL
LAM2300-FEOL 8” Etcher


本設備為 8 吋群集式(cluster tool)乾式蝕刻設備，具有多種類乾式蝕刻腔體，多晶矽薄膜蝕刻、介電質薄膜蝕刻、光阻去除灰化蝕刻腔體。其主要的功能為利用乾式蝕刻之非等向性特性製作特定形狀之圖樣。


• Brand/model: Lam-Research/Lam-2300
• 8-inch cluster etching chambers: Si/dielectrics/PR stripping
• Plasma mode: Transformer coupled plasma mode (TCP-mode), Capacitively coupled plasma (CCP-mode),Microwave plasma
• Gas:(PM2) BCl3,HBr,CF4,O2,He,SF6,CH2F2,Cl2,NF3
(PM3) C4F8,CF4,O2,Ar,CO,CH2F2,CHF3,CH3F
(PM4) N2,O2
• Temperature: (PM2) 45-60,(PM3) 20, (PM4) 250-275
• Power: (PM2)Top 1300W/Bias 1200W,(PM3) 27MHz 1900W/2MHz 2500W,(PM4) <3000W
• Standard etching material: Si,a-Si,Poly-Si,SiO2,SiN
• Sample size: 6”,8”
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8吋後段金屬與金屬層間引洞蝕刻機BEOL
LAM2300-BEOL 8” Etcher


本設備為 8 吋群集式(cluster tool)乾式蝕刻設備，具有多種類乾式蝕刻腔體，金屬薄膜蝕刻、介電質薄膜蝕刻、光阻去除灰化蝕刻腔體。其主要的功能為利用乾式蝕刻之非等向性特性製作特定形狀之圖樣。


• Brand/model: Lam-Research/Lam-2300
• 8-inch cluster etching chambers: metal/dielectrics/PR stripping
• Plasma mode: Transformer coupled plasma mode (TCP-mode), Capacitively coupled plasma (CCP-mode),Microwave plasma
• Gas:(PM1) N2,O2
(PM2)BCl3,Cl2,Ar,NF3,O2,HBr,N2,He,SF6,CH2F2,CH4
(PM3)C4F8,C4F6,CF4,O2,Ar,CO,CH2F2,CHF3,CH3F,N2
• Temperature: (PM1) 250-275,(PM2) 45-60,(PM3) 20
• Power: (PM1) <3000W,(PM2) Top 1300W/Bias 1200W,(PM3) 27MHz 1900W/2MHz 2500W
• Standard etching materials: Al, Ti, TiN, Ta, TaN, W, high-k,SiO2,SiN
• Sample size: 8”, 6”, 4” & coupon wafers



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CF-C10
8吋前段化學清洗蝕刻工作站
8 inch FEOL Wet Bench


8吋前段化學清洗蝕刻工作站為半導體製程關鍵設備，主要用於清洗晶圓並進行材料蝕刻。設備可有效去除晶圓表面顆粒、有機物、金屬汙染物及氧化層，此步驟能確保晶片表面乾淨、結構準確，確保後續電路能精準形成。本設備整合半自動搬送、精密藥液配製與製程溫控系統，符合高等潔淨式規範，廣泛應用於製程研發、試產與學研驗證，為先進製程技術提供可靠支援。


• 製程規格 : 90nm FEOL。
• 清洗晶圓尺吋： 4吋、6吋、8吋晶圓 。
• 清洗基材 : Si 晶圓為主要清潔材料。(排除三五族化合物、 純鍺、矽鍺參雜20％以上、玻璃、金屬、高介電常數金屬、低介電常數金屬… 等材料。)
• 化學槽：SC1、SC2、DHF、SPM、H3PO4、BOE
• 可控參數：濃度、溫度、時間
• 晶圓乾燥方式：旋乾機


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CF-C11
前段化學機械研磨系統 Mirra Mesa
CF-C11 FECMP Mirra Mesa


AMAT Mirra Mesa 化學機械研磨系統8 吋製程線中使用的化學機械研磨（CMP）設備，主要用於晶圓表面平坦化，是先進半導體製程中不可或缺的關鍵步驟。製程中，研磨頭可調整4區壓力，研磨液與研磨墊的匹配組合，在移除多餘材料的同時，確保晶圓表面達到奈米(nm)級平坦度，以利後續微影與薄膜沉積製程的準確度。


• 廠牌/型號 ： Mirra Mesa /AMAT
• 樣品尺寸：8 inch 晶圓。
• 提供前段STI或SOI或通道層(poly-Si/Oxide/Nitride)之平坦化
• 應用於淺溝槽式絕緣、介電質矽覆蓋絕緣技術


前段CMP Mirra Mesa 具備高度穩定的研磨控制與即時製程監測能力，可對STI氧化層、poly Si與介電材料進行一致性的平坦化處理。在 TSRI 的 8 吋製程平台中，此設備廣泛應用於矽光、邏輯元件、記憶體與先進材料研究，支援學研與產業客戶進行製程開發與技術驗證，確保實驗結果具有與量產線高度相容的可靠性。



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CF-E09
感應耦合式電漿蝕刻系統ICP Etcher


感應耦合式電漿蝕刻系統是採用射頻電源注入設計在腔體周圍的電極線圈，藉由電感耦合增加電子的運動距離而在高真空環境下激發出高密度電漿。此機台為乾式深蝕刻矽材之設備，搭配C4F8、SF6氣體與低溫載盤來建置Bosch Deep Si Etching 方式的深蝕刻矽基材參數。


• Brand/model: Plasma-Therm/Versiline DSE
• 8-inch cluster etching chambers: Silicon
• Plasma mode: Inductively coupled plasma mode (ICP-mode)
• Gas: SF6、C4F8、Ar、O2、N2、CF4、CHF3
• Temperature: -10 ~ 30
• Power: 1000W ~ 3000W
• Standard etching materials: Si
• Sample size: 8”, 6”, 4” & coupon wafers
• Process Baseline Check
Chamber Temp : 150~175℃
Elect Temp : -10~10℃
He clamp : 3500 mTorr
rocess :TMD(Time Division Multiplex) Deep Si Etch process
• SPEC
All the process baseline have to measure with pattern wafers
Wafer structure: I-line mask or Oxide HM / Si substrate
*Poly-Si(undoped): E/R＞6um/min, Unif.＜15％
*Single-Si/PR selectivity＞50
*SEM poly-Si line: angle＞88°
• Bosch Process
Oerlikon Versaline ICP Reactor is based on a cylindrical inductive coil configuration and inducing a strong magnetic field to generate a high density plasma source like Fig. 1 and Fig. 2.The DSE Technology is based on the well-known time division multiplex (TDM) etch process. The TDM process employs alternating deposition (passivation) and etching as in Fig.3 (A~D). This process can be developed to achieve extremely high aspect ratiofeatures on silicon substrates and TSV(Through-Si-Vis) technology


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CF-L18
聚焦電子束系統
CF-L18 Focused Electron Beam System


Helios 1200+ 是一台由 Thermo Fisher Scientific 製造的高階雙束型顯微鏡（DualBeam），主要服務於全球最先進的 5 奈米及更先進的半導體製程。它的核心技術結合了「掃描電子顯微鏡 (SEM)」與「聚焦離子束 (FIB)」。SEM 負責觀察，提供極高解析度的影像；FIB 負責加工，能對材料進行物理剝離或沉積金屬。


這款型號特別針對 200mm~300mm（8吋~12 吋）全晶圓設計，具備自動化裝載系統，這意味著晶圓可以整片進入腔體進行分析，而不需要先切成小塊，這對保持生產線的潔淨與效率至關重要。它是故障分析（Failure Analysis）與. TEM 樣品製備 (TEM Specimen Preparation)的核心工具，能讓研發人員直視晶片內部隱藏的結構缺陷。



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CF-L19
可變形束電子束曝光機VISTEC SB350


可變形狀電子束技術能夠直接在基板上寫入不同形狀和尺寸的電子束。形狀和尺寸的變化是透過高速電子光學系統實現的。這些產生的單次電子束脈衝根據預先分割的佈局資料投射到目標層。脈衝尺寸可以以 1 nm 的單位進行調節，範圍從最小的點或細長的矩形到邊長達 2 µm 的正方形區域。這種脈衝尺寸的可變性，在大面積曝光方面，可實現更高效的曝光。


• 廠牌/型號 ： Vistec SB350
• 樣品尺寸： 8 inch 晶圓。
• 設備特色：高解析度和無需光罩的直寫能力
• 應用：晶圓直寫曝光
• 解析度： 50 nm
• 線寬準確性： 30 nm
• 線寬均勻性： 20 nm
• 邊緣粗糙度： 15 nm
• 多層對準準確度： 40 nm
常見應用包含：
光罩（Photomask）製造
積體電路（IC）和半導體元件研發
奈米技術研究
微機電系統（MEMS）
光電和光學元件
生物醫學工程
低產量/客製化生產


資料來源： https://www.tsri.org.tw/



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CF-L20
晶粒等級圖案定義對準系統
CF-L20 Mask Alignment System


EVG 6200NT 為奧地利 EV Group (EVG) 研發之精密曝光設備 。本系統結合高精度對準光學系統與高準直度 UV 光源，主要用於晶圓與光罩之圖案轉寫 。其核心價值在於卓越的對準能力，確保多層圖案於幾百奈米誤差內完美重合，廣泛應用於微機電系統 (MEMS)、功率元件及化合物半導體等領域 。


• 樣品尺寸： 支援 4、6、8 吋晶圓之 TSA/BSA 對準，以及 12 至 50 mm 之晶粒 (Die) TSA 對準 。
• 光源： 寬頻光源 (g+h+i line) 或單一 i-line 。
• 對準精度： 具備亞微米級之底部對準 (BSA) 精度 。
• 曝光模式： 支援真空 (Vacuum)、硬式 (Hard)、軟式 (Soft) 接觸式曝光及接近式 (Proximity) 曝光 。
• 設備特色：採用 1:1 曝光架構，配備雙鏡頭顯微鏡與步進馬達控制載台 。
• 高度模組化設計，可處理碎片、小尺寸晶粒至完整晶圓 。
• 具備高度準直 UV 燈源，確保高深寬比圖案之關鍵尺寸 (CD) 控制 。
• 應用： MEMS 製作、3D 封裝、晶圓鍵合預對準、功率元件及學術研究試產 。


資料來源： https://www.evgroup.com/de/
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CF-L27
熱場發射掃描式電子顯微鏡
CF-L27 Chip size FE SEM


JSM-IT700HR 是一款搭載熱場發射電子槍（Thermal FEG）的掃描式電子顯微鏡，旨在滿足從高倍率觀測到大電流分析的全方位需求。其核心光學系統經過優化，在低加速電壓下仍能提供卓越的空間解析度，有效減少對非導電樣本或熱敏感材料的荷電效應與損傷。本系統集成了「Zeromag」功能，可實現從光學影像到電子影像的無縫銜接，顯著提升尋找目標區域的效率。在分析性能方面，IT700HR 採用了「Live Analysis」功能，EDS 分析與顯微觀察同步進行，使用者可在即時影像上直接獲取元素分布資訊（Mapping）。其大樣品室（Large Chamber）支援多種偵測器同時掛載，使其在處理複雜形貌或未經導電鍍膜的樣本時，具備極高的應用彈性。


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CF-S07
雷射製程系統
CF-S07 Laser Processing System


HIPPO™ 為 Spectra-Physics所開發之一系列中功率 Q-Switched 固態雷射系統，採用二極體泵浦固態雷射（DPSS）架構，專為 24/7 工業與半導體製程環境設計，具備高穩定度與高稼動率特性；HIPPO 平台支援 1064 nm、532 nm、355 nm 與 266 nm 多種輸出波長，可依不同材料與製程需求彈性選用，其短脈衝寬度（最低 < 11ns）與高峰值功率設計，能有效降低加工過程中的熱影響區（HAZ），減少重鑄層、微裂紋與基板損傷，特別適合精密微加工與半導體相關應用；同時，系統具備 TEM₀₀ 光束品質，提供良好聚焦能力與較大景深，確保在不同材料厚度與表面條件下仍能維持一致加工品質，因此適用於晶圓磊晶/離子佈植活化相關製程開發。


• 廠牌/型號 ： Spectra-Physics / HIPPO™
• 樣品尺寸： 8 inch wafer
• 設備特色： 高峰值功率、低熱影響加工/優異脈衝穩定度/模組化設計，易於維護與現場更換
• 應用：可開發晶圓磊晶/離子佈植活化相關製程
• 輸出波長：355nm/532nm
• 輸出功率：5 W at 50 kHz @355nm / 11 W at 50 kHz @532nm
• 重複頻率：最高 300 kHz
• Pulse Width : <12 ns at 50 kHz @355nm / <13 ns at 90 kHz @532nm
• 光束品質： M² < 1.3



雷射製程系統透過高能量密度且作用時間極短的雷射脈衝進行局部加熱，可在達成結晶或活化效果的同時，有效降低整體熱預算，減少對基板與周邊結構的熱影響；此外，藉由調整雷射掃描之步進間距，可改變能量在空間上的重疊程度與熱累積行為，使製程結果在均勻性與材料特性上具備高度可調性，提供兼具精準度與製程彈性的加工方案。



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CF_E13
智慧終端多腔體多功能蝕刻機AMAT ALE


本設備為12吋雙腔體 (Twin Chamber) 乾式蝕刻設備，具備前段與後段各一之腔體。前段腔體主要功能為用於Si、SiGe、Ge…等材料Multi-layer結構之微縮。後段腔體主要功能為用於Ta、TaN…等金屬蝕刻後，殘餘之微量Polymer去除。


• Brand/model: Applied Materials/Selectra
• 12-inch cluster etching chambers: metal polymer/ Ge,SiGe
• Plasma mode: Inductively coup led plasma mode (ICP-mode),Remote plasma system (RPS-mode)
• Gas: NF3,Ar,H2,N2
• Temperature: (Side 1) 80~100,(Side 2) 15
• Power: (Side 1) 1000W,(Side 2) RPS auto tune
• Standard etching materials: TaN/TiN polymer,SiGe,Ge
• Sample size: 12”, 8”, 6”, 4” & coupon wafers


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RDT005
四族磊晶機台
RDT005 Group IV Semiconductor Epitaxy Tool


SiGe LPCVD 四族磊晶機台是一種利用低壓環境、通過化學氣相沉積技術（使用矽烷SiH4和鍺烷 GeH4等氣體）在晶圓上成長單晶矽鍺（SiGe）合金半導體薄膜的機台，常應用於製造高性能的雙極性晶體管 (HBTs)、金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFTs)以及紅外光電轉換元件等。該磊晶機台能精確控制薄膜的成分和厚度，並可透過摻雜（如硼、磷元素）來調整材料的電學特性，以滿足特定電子元件的需求。


• 廠牌/型號 ： ASM Epsilon 2000+
• 圓尺寸要求：標準8”晶圓
• 製程氣體：H2, DCS (SiH2Cl2), SiH4, GeH4 (10% in H2), B2H6 (1% in H2), PH3 (1% in H2), HCl
• 可磊晶薄膜：Si (SiH4 700℃, DCS 825℃), SiGe (DCS, GeH4, 20Torr, 600-700℃), Ge (400℃, 40Torr),


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RDT010
八吋晶圓鍵合機RDT010 8inch Bonder


八吋晶圓鍵合機為英國AML公司製造生產，是目前市場上唯一能夠實現在同一設備上完成對準、活化、鍵合的設備，是MEMS、IC，和Ⅲ-Ⅴ族鍵合工藝的最佳選擇。在實現原位鍵合的同時，該設備也被用於壓紋、印壓、奈米壓印及其它圖形轉移技術。可用於研發，並具有適合批量生產的全自動設備。


• 廠牌/型號 ：AML/ AWB-08
• 樣品尺寸：8 inch wafer
• 設備特色：電漿活化/自動對準/即時觀察
• 應用：晶圓鍵合
• 鍵合壓力：Max. 40kN
• 電漿活化氣體：氮氣
• 加熱溫度：Max. 560⁰C
• 真空度：~10-6 mbar
• 電壓：2.5KV




八吋晶圓鍵合機，主要將兩片不同的晶圓，利用電漿和水氣處理表面，將兩片晶圓鍵合片成為一片。同時在鍵合的過程中，可以利用紅外線穿透晶圓，即時觀查上下兩片晶圓的對準情形。在鍵合結束後，可再利用加熱系統對鍵合的晶圓加熱，獲得更佳的晶圓鍵合強度。



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T-28
8吋高密度化學氣相沉積系統HDPCVD


高密度電漿化學氣相沉積 (CVD) 製程，主要提供高品質介電薄膜及無孔洞間隙充填為無摻雜之薄膜，其中包括淺溝槽隔離層 (STI)、金屬前介電質層 (PMD)。


• System Maker : Applied Materials.Inc
• System Model : Centura 5200
• Serial Number : 35605-03
• Mainframe : Ultima HDP MF w/Multi-Slot
• Load Lock : Nerrow Body
• Wafer Size : 200mm SNNF


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T-34
後段金屬原子層奈米孔洞沉積系統
Metal ALD


後段金屬原子層奈米孔洞沉積系統主要功能在於沉積 TiN 薄膜，且製程厚度為 20~200A 的薄膜。


• Brand/model : Picosun / R-200 Advanced
• 8-inch reaction chamber
• ICP remote plasma generator
• Gas : O2、Ar、N2、H2
• Temperature : <600℃
• Power : <3000W
• Standard ALD materials : TiN、W、Co
• Sample size : 8”、6”、chip，fragments/silicon substrates


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T29 8"PVD
8吋金屬物理氣相沉積系統


R1、R2 腔體具有準直性功能，可提供良好的(conformal)均覆性薄膜效果。F3 腔體為三元靶腔體，腔體內可安裝三種不同材料的靶材。F1 腔體可進行表面氧化層清潔程序，並可通H2電漿進行其他實驗。


• Brand/model : ULVAC Multi Chamber Sputtering System / ENTRON W200 1E2T2L
• Gas :Ar / N2 / O2 / H2
• Temperature：18℃~250℃
• Power：DC POWER 1KW ~ 16KW / RF POWER 300W ~ 500W
• Chambers R1 / R2 are equipped with collimating functionality, providing excellent conformal coating for thin films.
• Chamber F3 is a ternary target chamber capable of accommodating three different material targets.
• Chamber F1 is designed for surface oxide layer cleaning procedures and can introduce H2 plasma for other experiments. Coating can be applied to 6-inch wafers and fragments using carriers


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多腔式金屬介電層乾式蝕刻系統
Multi-chamber of Metal/Dielectric Film Dry Etching System (BEOL)


本設備為12吋群集式(cluster tool)乾式蝕刻設備，具有多種類乾式蝕刻腔體，包含光阻去除灰化、介電質薄膜蝕刻與金屬薄膜蝕刻三個腔體。其蝕刻腔體具備連續電漿與脈衝電漿兩種模式，可藉由Lam先進混合模式脈衝（Advanced Mixed Mode Pulsing, AMMP）技術提供低電漿損傷與高蝕刻選擇性的原子層蝕刻（Atomic Layer Etching, ALE）。


• Brand/model:
Lam Research / Lam2300 e4-MW-Flex FL-Metal NXP
• 12-inch cluster etching chambers:
PR strip Chamber, PM1 (PR)
Dielectric Chamber, PM2 (SiO2, Si3N4)
Metal Chamber, PM3 (Ti, TiN, Al, Si)
• Plasma mode:
Microwave plasma, MW (PM1)
Capacitive coupling plasma, CCP (PM2, pulsing mode available)
Transformer coupled plasma, TCP (PM3, pulsing mode available)
• Gas: (PM1) N2, O2
(PM2) CF4, C4F6, C4F8, CH3F, CH2F2, CHF3, O2, N2, Ar, CO, CO2, H2
(PM3) Cl2, BCl3, SiCl4, HBr, CF4, CHF3, CH2F2, NF3, Ar, O2, N2, He, CH4, H2
• Sample size: 12”, 8”, 6”and 2.5×2.5 cm2 coupon wafers


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後段閘極與多層金屬連線平坦化系統
BECMP Mirra Mesa


AMAT Mirra Mesa 化學機械研磨（CMP）系統，廣泛應用於 8 吋晶圓製程中，主要功能是對晶圓表面進行精密平坦化。作為先進半導體製程的核心步驟，CMP 可有效去除多餘材料，同時保持晶圓表面平滑度達奈米級（nm），確保後續微影與薄膜沉積製程的精度。系統特色包括可調整 4 區壓力的研磨頭，以及可針對不同材料優化的研磨液與研磨墊組合，能在提升材料去除效率的同時，精準控制表面平坦性。


• 廠牌/型號 ： Mirra Mesa /AMAT
• 樣品尺寸：8 inch 晶圓
• 提供後段W/Ti/TiN/SiO2之平坦化
• 應用於後段閘極及多層金屬連線平坦化技術



後段化學機械平坦化（CMP）設備 Mirra Mesa 具備高穩定度之研磨控制與即時製程監測能力，在材料應用方面，本系統可處理多種導電、介電及複合材料，包含金屬連線層與介電層之平坦化需求，適用於多層堆疊結構之製程整合與材料特性評估。該設備整合於 TSRI 之 8 吋製程平台，提供接近量產條件之研究環境，廣泛支援矽光子元件、邏輯元件、記憶體與先進材料等相關研究。


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電子束微影系統
RAITH Voyager E-beam Lithography system


Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


高可靠製程控制與資料整合：搭配完整的圖形設計、曝光控制與製程管理軟體平台，可整合劑量控制、曝光策略與對位流程，協助使用者完成從設計到實體圖形驗證的完整製程。



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電子束微影系統
RAITH Voyager E-beam Lithography system


Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


高可靠製程控制與資料整合：搭配完整的圖形設計、曝光控制與製程管理軟體平台，可整合劑量控制、曝光策略與對位流程，協助使用者完成從設計到實體圖形驗證的完整製程。



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電子束微影系統
RAITH Voyager E-beam Lithography system


Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


高可靠製程控制與資料整合：搭配完整的圖形設計、曝光控制與製程管理軟體平台，可整合劑量控制、曝光策略與對位流程，協助使用者完成從設計到實體圖形驗證的完整製程。



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電子束微影系統
RAITH Voyager E-beam Lithography system


Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


高可靠製程控制與資料整合：搭配完整的圖形設計、曝光控制與製程管理軟體平台，可整合劑量控制、曝光策略與對位流程，協助使用者完成從設計到實體圖形驗證的完整製程。



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電子束微影系統
RAITH Voyager E-beam Lithography system


Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


高可靠製程控制與資料整合：搭配完整的圖形設計、曝光控制與製程管理軟體平台，可整合劑量控制、曝光策略與對位流程，協助使用者完成從設計到實體圖形驗證的完整製程。



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電子束微影系統
RAITH Voyager E-beam Lithography system


Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


高可靠製程控制與資料整合：搭配完整的圖形設計、曝光控制與製程管理軟體平台，可整合劑量控制、曝光策略與對位流程，協助使用者完成從設計到實體圖形驗證的完整製程。



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電子束微影系統
RAITH Voyager E-beam Lithography system


Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


高可靠製程控制與資料整合：搭配完整的圖形設計、曝光控制與製程管理軟體平台，可整合劑量控制、曝光策略與對位流程，協助使用者完成從設計到實體圖形驗證的完整製程。



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電子束微影系統
RAITH Voyager E-beam Lithography system


Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


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電子束微影系統
RAITH Voyager E-beam Lithography system


Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


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電子束微影系統
RAITH Voyager E-beam Lithography system


Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


高可靠製程控制與資料整合：搭配完整的圖形設計、曝光控制與製程管理軟體平台，可整合劑量控制、曝光策略與對位流程，協助使用者完成從設計到實體圖形驗證的完整製程。



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電子束微影系統
RAITH Voyager E-beam Lithography system


Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


高可靠製程控制與資料整合：搭配完整的圖形設計、曝光控制與製程管理軟體平台，可整合劑量控制、曝光策略與對位流程，協助使用者完成從設計到實體圖形驗證的完整製程。



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電子束微影系統
RAITH Voyager E-beam Lithography system


Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


高可靠製程控制與資料整合：搭配完整的圖形設計、曝光控制與製程管理軟體平台，可整合劑量控制、曝光策略與對位流程，協助使用者完成從設計到實體圖形驗證的完整製程。



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電子束微影系統
RAITH Voyager E-beam Lithography system


Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


高可靠製程控制與資料整合：搭配完整的圖形設計、曝光控制與製程管理軟體平台，可整合劑量控制、曝光策略與對位流程，協助使用者完成從設計到實體圖形驗證的完整製程。



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RAITH Voyager E-beam Lithography system


Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


高可靠製程控制與資料整合：搭配完整的圖形設計、曝光控制與製程管理軟體平台，可整合劑量控制、曝光策略與對位流程，協助使用者完成從設計到實體圖形驗證的完整製程。



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Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


高可靠製程控制與資料整合：搭配完整的圖形設計、曝光控制與製程管理軟體平台，可整合劑量控制、曝光策略與對位流程，協助使用者完成從設計到實體圖形驗證的完整製程。



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Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


高可靠製程控制與資料整合：搭配完整的圖形設計、曝光控制與製程管理軟體平台，可整合劑量控制、曝光策略與對位流程，協助使用者完成從設計到實體圖形驗證的完整製程。



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Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


高可靠製程控制與資料整合：搭配完整的圖形設計、曝光控制與製程管理軟體平台，可整合劑量控制、曝光策略與對位流程，協助使用者完成從設計到實體圖形驗證的完整製程。



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Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


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• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


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Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


高可靠製程控制與資料整合：搭配完整的圖形設計、曝光控制與製程管理軟體平台，可整合劑量控制、曝光策略與對位流程，協助使用者完成從設計到實體圖形驗證的完整製程。



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Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


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Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


高可靠製程控制與資料整合：搭配完整的圖形設計、曝光控制與製程管理軟體平台，可整合劑量控制、曝光策略與對位流程，協助使用者完成從設計到實體圖形驗證的完整製程。



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Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


高可靠製程控制與資料整合：搭配完整的圖形設計、曝光控制與製程管理軟體平台，可整合劑量控制、曝光策略與對位流程，協助使用者完成從設計到實體圖形驗證的完整製程。



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Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


高可靠製程控制與資料整合：搭配完整的圖形設計、曝光控制與製程管理軟體平台，可整合劑量控制、曝光策略與對位流程，協助使用者完成從設計到實體圖形驗證的完整製程。



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Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


高可靠製程控制與資料整合：搭配完整的圖形設計、曝光控制與製程管理軟體平台，可整合劑量控制、曝光策略與對位流程，協助使用者完成從設計到實體圖形驗證的完整製程。



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Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


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Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


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Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


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Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


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Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
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Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


高可靠製程控制與資料整合：搭配完整的圖形設計、曝光控制與製程管理軟體平台，可整合劑量控制、曝光策略與對位流程，協助使用者完成從設計到實體圖形驗證的完整製程。



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Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


高可靠製程控制與資料整合：搭配完整的圖形設計、曝光控制與製程管理軟體平台，可整合劑量控制、曝光策略與對位流程，協助使用者完成從設計到實體圖形驗證的完整製程。



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電子束微影系統
RAITH Voyager E-beam Lithography system


Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field


高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


高可靠製程控制與資料整合：搭配完整的圖形設計、曝光控制與製程管理軟體平台，可整合劑量控制、曝光策略與對位流程，協助使用者完成從設計到實體圖形驗證的完整製程。



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電子束微影系統
RAITH Voyager E-beam Lithography system


Voyager採用電子束直寫式微影技術，專為處理1cm ~ 10cm樣品。採用高斯型電子束直接在光阻材料上寫入奈米等級圖形，主要具備優異的電子束穩定度與高精度平台定位能力，可在維持良好製程再現性的同時，實現高解析度圖形製作與精準的多層結構對位。


• 廠牌/型號 ： RAITH / Voyager
• 樣品尺寸：1cm ~ 10cm。
• 電子束類型 : Spot beam / Gaussian
• 加速壓 : 50keV
• 解析度 : 8nm(iso) / 40nm(dense)
• 對位精度 : < 20 nm @100 μm write field



高解析度直寫與製程彈性：透過高度聚焦且穩定的高斯型電子束直接於電子束光阻材料上定義奈米等級圖形。


精密電子光學與平台定位系統：高穩定度電子發射源與精密電子光學設計，搭配高精度干涉式 XY 載台與 Z 軸控制系統，此設計能執行高準確度的多層對位，確保複雜奈米結構在多次曝光製程中的一致性與可靠性。


高可靠製程控制與資料整合：搭配完整的圖形設計、曝光控制與製程管理軟體平台，可整合劑量控制、曝光策略與對位流程，協助使用者完成從設計到實體圖形驗證的完整製程。



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高填洞力接觸孔金屬沉積系統
WCVD (12” Backend)


本設備為 12 吋化學氣相沉積鎢薄膜沉積設備（CVD-W），可應用於邏輯與記憶體製程，主要用於接觸孔（Contact Plug）填孔、金屬導電層沉積及金屬閘極（Metal Gate）相關結構之鎢薄膜形成。其主要功能為利用 CVD 反應在高深寬比結構中進行高覆蓋性與高均勻性之鎢沉積


• Brand/model: Lam-Research/Altus
• 12-inch chamber with four pedestals.
• Sample size: 12”, 8”, 6”, 4” & coupon wafers
• Gas: B2H6 ,WF6 , SiH4,H2 , Ar,NF3
• Temperature: Nucleation 250~300C、Via fill 300~430C
• CVD-W is used for contact/via plugs, conductive layers, and metal gates. It offers good conformality and thermal stability, reducing contact resistance and improving reliability


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高精準性離子佈植機
S10 iPulsar Implanter Ion Implantation System (12”)"


高精準性離子佈植機(高電流離子佈植機)1.title 角度≦60° 2.能量(keV) ≦40 keV ; >5 keV 3. 劑量(Dose) ≦1E16(ion/cm2) ; ≧ 5E14(ion/cm2) 4. 能量(keV) ≦5 keV ;劑量(Dose) ≦ 5E15(ion/cm2) 5. ＜6吋的樣品請洽工程師。


Gas Types:
• SDS steel cylinders: AsH3, PH3, BF3
• High-pressure steel cylinders: Ar
• Wafer Sizes:
• 12-inch,8-inch,6-inch, Fragments/substrates
• Energy and Dose
• Energy：1-40keV
• Dose： 5E14~1E16


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E-16
低損傷磊晶蝕刻機
SAMCO Low Damage GaN Etcher


本設備為8吋GaN蝕刻機，具備干涉式EPD之後段製程腔體，為一低損傷電漿蝕刻系統之設計，其腔體採用tornado ICP coil之專利設計，進行GaN等材料之蝕刻，tornado ICP coil 可讓電漿控制得更穩定，進而達到慢速蝕刻率之製程。其主要製程為蝕刻AlGaN及p GaN等材料。GaN 功率元件蝕刻厚度僅奈米尺寸，於蝕刻時利用干涉式EPD即時監測，可準確地停止於所指定的位置，且整體蝕刻均勻度及表面粗糙度均可達到極佳之水準。


• Brand/model : Samco/ 200ip
• 8-inch cluster etching chambers : GaN
• Inductively coupled plasma mode (ICP-mode)
• Gas : Cl2, BCl3, SiCl4, CHF3, O2, Ar.
• Temperature : 20~60 ℃
• Power : <1000w
• Standard etching materials : p GaN, AlGaN
• Sample size: 8”, 6”, 4” & coupon wafers


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CF-L22
高速量產型光學曝光系統


CF-L22 248-nm DUV Scanner


Canon FPA-6300ES6a 為 KrF（248 nm）深紫外掃描式曝光機，屬於高產能量產型微影設備。系統採用 4:1 縮小投影之掃描曝光架構，可將光罩圖形精確轉寫至 8 吋（200 mm）晶圓，廣泛應用於記憶體與邏輯元件製程中的關鍵微影層。設備搭載 248 nm KrF 雷射光源，結合高數值孔徑投影光學系統，提供孔徑 NA 0.50～0.86 的配置彈性，在解析度與製程視窗間取得平衡。實務解析度可達約 110 nm，並透過高精度晶圓載台與對位控制系統，於量測補正條件下，層疊(Overlay)精度可達約 15 nm，適合高密度、多層對位製程的量產與製程優化。


• 廠牌/型號 ： Canon /FPA-6300ES6a
• 樣品尺寸：8inch 晶圓
• 光源：KrF (248 nm)
• 層疊精度：15 nm
• 設備特色：結合高產能、高精度與高可靠性，可在量產環境中同時滿足高速曝光與先進多層對位之微影製程需求。
• 應用：記憶體、邏輯與光學元件之關鍵層微影曝光製程


資料來源： https://global.canon/en/product/indtech/semicon/fpa6300es6a.html
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CF-L28
可變形束電子束光罩製作曝光機-SB254


Variable Shaped Beam Mask Writer-SB254


SB254 是 Vistec 電子束有限公司（Vistec Electron Beam GmbH）研發的一款可變形束（Variable Shaped Beam, VSB）電子束曝光機，此設備利用可變形束電子束直接寫入晶圓或光罩，不需要先製作光罩即可將電路圖案精準轉印到基材上，使得製程開發更具彈性並能降低光罩製作成本。SB254具備高達 50 kV的加速電壓，能產生能量極強且精準的電子束，因此可以在奈米等級的尺度下進行精確加工。SB254 屬於Variable Shaped Beam系統，對比常見的Gaussian Beam電子束曝光機，雖然精度略低，但速度卻是Gaussian Beam 數十倍。更適用於兼顧研發與產能的環境。


• 廠牌/型號 ： Vistec / SB254
• 樣品尺寸：12mm 25mm chip, 4/6/8 inch wafer and 5/6 inch mask
• 設備特色：電子束直寫/全自動化/適用多尺寸基板/高產能/光罩製作
• 應用：各式電子電路圖案直寫曝光、光罩曝光製作
• 電子束型態：可變形束
• 加速電壓：50 kV
• 電流密度：15 A/cm2
• 解析度：45 nm
• 層疊精度：17 nm


SB254 是屬可變形束電子束曝光機系統。在微影製程中，它的主要任務是將極其精細的電路設計圖案，直接轉移到晶圓(Wafer)上。因此可免去光學曝光機必須先製作好光罩的成本，增加實驗製程的靈活度。此外SB254也用來執行光學曝光機所需的光罩製作。


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CF_E15 IBE
智慧終端關鍵技術應用離子性蝕刻系統


本設備為 12 吋離子性蝕刻機 (Ion Beam Etcher)，具備產生離子源之後段製程腔體，為一低損傷電漿蝕刻系統之設計，採用離子轟擊方式進行惰性金屬薄膜蝕刻，達到一般氣體反應蝕刻系統所無法蝕刻之材料的蝕刻製程。其主要製程為蝕刻磁性記憶體薄膜材料(MTJstructure)。磁性記憶體薄膜厚度僅奈米尺寸，於蝕刻時利用 OES 光譜分析(Optical Emission Spectrometer) 即時監測，藉由蝕刻個薄膜所產生的光強度變化，可準確地停止於所指定的位置。


• Brand/model: CANON ANELVA / NC-8000
• 12-inch cluster etching chambers: Ion-beam etch (IBE)
• Plasma mode: Inductively coupled plasma mode (ICP-mode)
• Gas: Ar
• Temperature: Room temp
• Power: 2000W
• Standard etching materials: MRAM MTJ films
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CT_T31 12"PVD
超高真空金屬與金屬氧化物奈米級薄膜沈積系統


系統採用三腔體設計（金屬腔、磁性腔），可有效避免不同靶材之間的交叉汙染。真空度可達 < 5 × 10⁻⁸ mbar，並透過晶圓旋轉機制，實現超薄薄膜（< 1 nm）的優異厚度均勻性。系統相容於 12 吋 與 8 吋 晶圓製程。


本系統可製備 MTJ（磁性穿隧接面，Magnetic Tunnel Junction） 元件，其片電阻（Rs）可低於 10 Ω·cm²，磁阻比（MR, Magneto-Resistance）可達 100% 以上，並具備展現自旋轉移力矩（Spin-Transfer Torque）誘發磁化反轉的能力。該系統可實現高均勻性、高品質，且層厚 小於 1 nm 的多層金屬薄膜堆疊製程。


• Brand/model : Applied Materials, Inc / Endura® Clover™
• Gas :Ar / N2 / O2
• Temperature：17℃ ~ - 100℃
• Power： DC POWER 1KW ~ 5KW / RF POWER 200W ~
Less than 1% thickness variation on 300mm (12”) wafer.
### 按鈕 Button_5894E703_09D7_544F_41A4_A579F5E13FBA.label = Stripper Button_4FB81BCC_09F6_F3D9_419E_3CBD73BF9CD3.label = Surface Profiler Button_4624073D_491C_9DEC_41A6_02D4E995714B.label = 12" PVD Button_6F832069_09BA_CCDA_41A1_E517E9B24282.label = 12" PVD Button_37D0702B_09C9_4C5F_41A4_A104BD313827.label = 12" BEOL Etcher Button_43274E14_09CA_B449_41A8_279A161E18D3.label = 12" WCVD Button_74499882_323F_3238_4196_D67F9FCBE9F0.label = 248 Scanner Button_461CE0B7_492D_94FC_41BE_466FE43E8CBF.label = 248 Scanner Button_462638EF_491C_F46C_41C3_3033B139A755.label = 4-point prob Button_6F0D81F1_09BA_CFCA_418D_1CB9536EEFBB.label = 6" BEOL Wet Bench Button_6F3BE819_09BA_DC7A_41A5_8F46DA2DF7D8.label = 6" Cluster PVD Button_4FA74BCE_09F6_F3D9_419C_58BCCFC68E65.label = 6" FIB Button_4316EA6E_09DB_DCD9_419B_0951FDE9A0FC.label = 8" BEOL CMP Button_77208EF1_3273_CFDB_419C_88E59BCD8E0F.label = 8" BEOL Etcher Button_461F22E7_492C_949C_41B2_DBFE2F3165AB.label = 8" BEOL Etcher 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Deposition | 薄膜沉積 Button_2903BB49_084A_DCDA_41A2_6D7270886A68.label = Deposition｜薄膜沉積 Button_2983A6C2_0859_75C9_417D_F28AAE52EFE5.label = Deposition｜薄膜沉積 Button_23AEDEE6_0879_F5D6_41A8_754C10D47251.label = Deposition｜薄膜沉積 Button_775AAB08_3231_F648_41AE_1DFFDE9A62D0.label = E-beam Raith Button_461D093A_492C_95F4_4185_EABAE6D93C73.label = E-beam Raith Button_6F116D59_09BA_D4FA_419C_34403210805A.label = E-gun Button_3A9A44F9_0849_F5BB_41A3_3733D4C7F5A9.label = EVG Aligner Button_4FA59BCE_09F6_F3D9_41A6_DD7004E63E99.label = Ellipsometer Button_45A7E1B5_4B1B_94FC_41D1_4CFB331EBCC5.label = Epitaxy ｜ 磊晶 Button_462245ED_4914_9C6C_41BB_60402AE3C14A.label = Epitaxy ｜ 磊晶 Button_45AA63F9_4B14_9474_41B2_706DA3F130DE.label = Etch | 蝕刻 Button_45A671F2_4B1D_7474_41AA_2480B7F44126.label = Etch | 蝕刻 Button_2996F7A9_0859_745A_41A5_F9979BB8B932.label = Etch｜蝕刻 Button_2BD5FDF1_0877_D7CB_417C_1F6FF8790BEB.label = Etch｜蝕刻 Button_43A9B1FD_09C9_4FBA_419D_EEF86624FF31.label = GaN Etcher Button_46207F0F_4915_6DAD_41CC_DE2C3F2C4F8E.label = GaN RTA Button_3A4A706C_2C98_5D42_418B_DEFBBB8F8824.label = Group IV Epitaxy Button_4621CD32_4917_ADF7_41B4_F8469B867C0D.label = Group IV Epitaxy Button_4326FE13_09CA_B44F_4192_7F34B34A8D96.label = HDPCVD Button_6860D553_09BB_54CE_41A7_D10CCF996E75.label = High Precision E-gun Button_37EF7663_09B6_D4CF_4166_C03D7299FF29.label = Horizontal Furnace Button_379DC62C_09C9_5459_41A8_80F29737A65E.label = IBE Button_4627AB94_491B_94BC_41C7_09BC87364FDE.label = Ion Implantation ｜離子佈植 Button_45AAC306_4B15_959C_41A6_E3786275CEC8.label = Ion Implantation ｜離子佈植 Button_68958E03_09B9_544E_41A4_82E85C1DABBB.label = Laser Button_459026D1_4B34_9CB4_41B8_4F7CF4BD0D63.label = Lithography｜微影 Button_DAF2CFDE_E11C_AC26_41D8_58FAA70FC80A.label = Lithography｜微影 Button_3A9A04FA_0849_F5BE_417F_3D0BDC5812DE.label = Mask Track Button_2390091F_0879_FC77_4177_1B1D85363E38.label = Metrology | 量測與檢測 Button_45A8B681_4B15_FC94_41A4_6A165B4990FF.label = Metrology | 量測與檢測 Button_462638ED_491C_F46C_4197_8F2C0958DBD5.label = Metrology | 量測與檢測 Button_45A3E3FB_4B1B_9474_41C4_B1C89682CD89.label = Metrology | 量測與檢測 Button_395FADEE_2CA8_C75F_41AB_957C70A570D8.label = Metrology | 量測與檢測 Button_3A523E9F_2C98_45FE_41C3_3767919C0E44.label = Metrology | 量測與檢測 Button_68600552_09BB_54C9_4190_C1ECDD4D9476.label = PEALD Button_6889EAC1_09BA_FDCA_41A2_9EF1F88E087E.label = PECVD Button_378E7385_09CF_4C4A_41A1_679CBB6B888F.label = PR Asher Button_0AA6ECD1_34B8_4955_41C3_052C12D8A8B8.label = Quantum Device Button_0A63D829_34B8_C8F4_41C3_2DF30DECB666.label = Quantum Device Button_44A70A0B_09FE_BC5F_418C_CD09BD63A378.label = RTA Button_462638ED_491C_F46C_41D0_2A6CE6117255.label = TXRF Button_45A78F23_4B1B_AD94_41D0_BB6279779E75.label = Thermal | 熱處理/退火 Button_45AAC011_4B15_93B4_41D0_1FA652DC2CC7.label = Thermal | 熱處理/退火 Button_2BD65DF0_0877_D7C9_41A8_6B4E10D49627.label = Thermal｜熱處理/退火 Button_298D6492_0859_744E_41A2_0AC9FC999864.label = Thermal｜熱處理/退火 Button_3B87DF2F_2C99_C4DE_41C2_DDF6F5CFFF1D.label = Vertical Furnace Button_45AABD6C_4B15_EC6C_41BE_20109ACC540D.label = Wet/Clean | 清洗/濕製程 Button_45A96942_4B14_9594_41C4_A859292A595F.label = Wet/Clean | 清洗/濕製程 Button_45A6DC86_4B1D_AC9F_41B9_77CB0D191360.label = Wet/Clean | 清洗/濕製程 Button_6BF95AFE_0849_BDB6_4198_20FCFE606DE9.label = Wet/Clean｜清洗/濕製程 Button_2905BB4C_084A_DCDA_41A6_7C85B64FCDDC.label = Wet/Clean｜清洗/濕製程 Button_2864D16A_0859_4CD9_4190_7A3A2D354757.label = Wet/Clean｜清洗/濕製程 ## 媒體 ### 圖片 imlevel_4E42D69C_54F8_712C_41BA_A375C84A9279.url = media/map_A9236EAC_4B14_AC93_41B0_CF0E5BF50BAD_zh_0.webp imlevel_4E45269D_54F8_712C_41D4_9FF89A5994B0.url = media/map_A9236EAC_4B14_AC93_41B0_CF0E5BF50BAD_zh_1.webp imlevel_4E45069D_54F8_712C_41C5_D217EC01FCAF.url = media/map_A9236EAC_4B14_AC93_41B0_CF0E5BF50BAD_zh_2.webp imlevel_4E45169D_54F8_712C_419A_8A3769970986.url = media/map_A9236EAC_4B14_AC93_41B0_CF0E5BF50BAD_zh_3.webp imlevel_4E45769D_54F8_712C_4163_7598F8C4396E.url = 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